在通态中，IGBT 可按照“第一近似”和功率 MOSFET 驱动的 PNP 晶体管建模。假如阴极与阳极间压降不超过 0.7 V，即使栅信号使 MOSFET 沟道…
1. 静态特性MOSFET 的转移特性和输出特性如图1-2 所示。漏极电流 ID 与栅源电压 UGS 的关系称为转移特性，ID 较大时二者近似线性，曲线斜率定义…
在应用器件时，除考虑电压、电流、频率外，还必须掌握如何保护器件不使其在瞬态变化中受损。晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上大面积带来的大电容，其承受 du/d…
图1-18 IGBT 的开关过程IGBT 的开通过程与 MOSFET 相似，因为开通过程中 IGBT 在大部分时间作为 MOSFET 运行（如图1-18 所示）…
在功率半导体器件中，MOSFET 以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换（特别是高频功率变换）中起重要作用。低压领域 MOSFET 没有竞争对手，但随 M…
脉宽调制（PWM）技术广泛应用于交流电动机调速、开关电源、不间断供电（UPS）等领域，其中 PWM 信号的产生是关键。随电力电子技术不断发展与产品更新，其生成方…
1. 导通电阻的降低英飞凌（INFINEON）内建横向电场的 MOSFET 耐压有 600 V 与 800 V 两种。与常规 MOSFET 相比：相同管芯面积时…
1）PWM 产生逻辑PWM 发生器是实现脉冲序列的核心，脉冲调制信号通过比较输入参考波形与高频载波获得。SA866DE 采用异步不对称规则采样调制方法，工作波形…
功率器件的不断发展推动了其驱动电路的发展，相继出现许多专用驱动集成电路。IGBT 的触发和关断要求给栅极和基极之间加上正向电压与负向电压，栅极电压可由不同驱动电…
功率 MOSFET 是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高、驱动功率小、电路简单。但功率 MOSFET 极间电容较大，输入…
