在应用器件时，除考虑电压、电流、频率外，还必须掌握如何保护器件不使其在瞬态变化中受损。晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上大面积带来的大电容，其承受 du/dt 能力较脆弱；对 di/dt 还存在导通区扩展问题，因此有相当严格的限制。
功率 MOSFET 的情况有很大不同，其 du/dt 及 di/dt 的能力常以每纳秒（而非每微秒）来估量；但即便如此，它也存在动态性能的限制，可从功率 MOSFET 的基本结构来理解。图1-4 是功率 MOSFET 的等效电路。应用中除考虑各部分电容外，还必须考虑 MOSFET 还并联着一个二极管；同时从某角度看还存在一个寄生晶体管（就像 IGBT 寄生着一个晶闸管一样）。这几方面是研究 MOSFET 动态特性的重要因素。
图1-4 功率 MOSFET 的等效电路
首先，MOSFET 结构中所附带的本征二极管具有一定雪崩能力，通常以单次雪崩能力与重复雪崩能力表达。当反向 di/dt 很大时，二极管会承受速度很快的脉冲尖刺、可能进入雪崩区，一旦超越雪崩能力就可能损坏器件。作为 PN 结二极管，其动态特性较复杂，与“正向导通反向阻断”的简单概念很不相同：电流迅速下降时二极管有一阶段失去反向阻断能力（即反向恢复时间）；PN 结要求迅速导通时也有一段时间不显示低电阻。在功率 MOSFET 中，一旦二极管正向注入，所注入的少数载流子也会增加作为多子器件 MOSFET 的复杂性。
功率 MOSFET 设计过程中采取措施使寄生晶体管尽量不起作用，不同代功率 MOSFET 措施各有不同，但总原则是使漏极下横向电阻 RB 尽量小。因为只有在漏极 N 区下横向电阻流过足够电流、为该 N 区建立正偏条件时，寄生双极性晶闸管才开始发作；在严峻动态条件下，因 du/dt 通过相应电容引起的横向电流可能足够大，此时寄生双极性晶体管就会启动、可能给 MOSFET 带来损坏。所以考虑瞬态性能时对器件内部各个电容（它是 du/dt 的通道）都必须注意。
瞬态情况与线路情况密切相关，应用时应给予足够重视。只有对器件深入了解，才能有利于理解与分析相关问题。