图1-18 IGBT 的开关过程

IGBT 的开通过程与 MOSFET 相似，因为开通过程中 IGBT 在大部分时间作为 MOSFET 运行（如图1-18 所示）。

开通延迟时间 t_d(on)：从 U_GE 上升至其幅值 10% 的时刻，到 i_C 上升至 10% I_CM 的时刻。

电流上升时间 t_r：i_C 从 10% I_CM 上升至 90% I_CM 所需时间。

开通时间 t_on：开通延迟时间与电流上升时间之和。U_CE 的下降过程分为 t_fv1 与 t_fv2 两段：t_fv1 为 IGBT 中 MOSFET 单独工作的电压下降过程；t_fv2 为 MOSFET 与 PNP 晶体管同时工作的电压下降过程。