TLP250（TOSHIBA 公司生产）包含一个 GaAlAs 光发射二极管与一个集成光探测器，8 脚双列封装结构，适用于 IGBT 或功率 MOSFET 的栅…
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是 MOS 结构双极器件，属具有功率 MOSFET 高速性能与双…
N 沟道 IGBT 的工作是通过栅极—发射极间加高于阈值电压 VTH 的正电压，在栅极电极正下方的 P 层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的 N⁻ 层注…
集成门极换流晶闸管（IGCT），也有人称发射极关断晶闸管（ETO），实际上是关断增益为 1 的 GTO，又是把 MOSFET 管从器件（半导体）内部拿到外部的 …
IGCT 利用门极脉冲开通，导通机理与 GTO 完全一样，但关断机理与 GTO 完全不同。表1-9 给出二者工作状态的比较。表1-9 IGCT 和 GTO 的工…
IGCT 的工作原理表明，它是在 GTO 芯片基础上设计的。由于传统 GTO 技术为降低场强而增加芯片厚度，使通态压降与开关损耗增大，故 IGCT 采用了新的器…
下面介绍瑞士 ABB 公司 5SHY351A502 器件的通断特性和关断状态下的典型参数。1. 通态特性5SHY351A502 中的 GCT 在给定阻断电压范围…
为便于 IGCT 与 GTO、IGBT 的应用比较，下面从使用角度对三种 3.3 kV 器件的部分特性作粗略比较，见表1-11。可见 IGCT 兼具 GTO 与…
变频模块的好坏也可在静态情况下通过检测功率模块各端脚之间的电阻值来判断。可拆下功率模块组件上的“+”“-”“U”“V”“W”端脚，再用万用表 R×100 Ω 挡…
在交通、钢铁、电力等国民经济基础工业部门，高压大容量变频器对可靠性的要求特别高。目前这类高压变频器仍以 GTO 与光控晶闸管等大容量电流驱动型电力电子器件为主导…
