功率器件的不断发展推动了其驱动电路的发展，相继出现许多专用驱动集成电路。IGBT 的触发和关断要求给栅极和基极之间加上正向电压与负向电压，栅极电压可由不同驱动电路产生。选择这些驱动电路时必须依据以下参数：器件关断偏置要求、栅极电荷要求、耐固性要求与电源情况。

图1-19 典型的 IGBT 栅极驱动电路

图1-19 为一典型 IGBT 驱动电路原理示意。因 IGBT 栅极—发射极阻抗大，可使用 MOSFET 驱动技术触发；但由于 IGBT 输入电容较 MOSFET 大，其关断偏压应比许多 MOSFET 驱动电路提供的偏压更高。对 IGBT 驱动电路的一般要求如下：

（1）栅极驱动电压。IGBT 开通时，正向栅极电压值应足够使 IGBT 完全饱和，将通态损耗减至最小，同时限制短路电流及功率应力。任何情况下开通时栅极驱动电压应在 12～20 V 之间；栅极电压为零时 IGBT 处断态。为保证 IGBT 在集电极—发射极电压出现 du/dt 噪声时仍保持关断，须在栅极施加反向关断偏压，反向偏压还减少关断损耗，应在 -5～-15 V 之间。

（2）串联栅极电阻（R_G）。选择适当栅极串联电阻对 IGBT 栅极驱动相当重要。IGBT 开通与关断通过栅极电路充放电实现，故栅极电阻值对动态特性影响极大。阻值较小使栅极电容充放电较快、减小开关时间与开关损耗，从而增强器件耐固性（避免 du/dt 误导通）；但小电阻只能承受较小栅极噪声，并可能导致栅极—发射极电容与栅极驱动导线寄生电感产生振荡。

（3）栅极驱动功率。IGBT 消耗来自栅极电源的功率，其功率受栅极驱动负、正偏置电压差值 ΔU_GE、栅极总电荷 Q_G 与工作频率 f_s 的影响。电源最大峰值电流 I_GPK=±(ΔU_GE/R_G)；电源平均功率 P_AV=ΔU_GE·Q_G·f_s。