在通态中，IGBT 可按照“第一近似”和功率 MOSFET 驱动的 PNP 晶体管建模。假如阴极与阳极间压降不超过 0.7 V，即使栅信号使 MOSFET 沟道…
1. IEGT 的通态特性采用适当的 MOS 栅结构，促进电子注入效应增大时，从沟道注入 N 层的电子电流也相应增加。若采用槽型结构，则沟道迁移率增大，槽栅越深…
