1. 导通电阻的降低

英飞凌（INFINEON）内建横向电场的 MOSFET 耐压有 600 V 与 800 V 两种。与常规 MOSFET 相比：相同管芯面积时导通电阻分别下降到常规 MOSFET 的 1/5、1/10；相同额定电流时分别下降到 1/2 与约 1/3。在额定结温、额定电流条件下，导通电压分别从 12.6 V、19.1 V 下降到 6.07 V、7.5 V，导通损耗下降到常规 MOSFET 的 1/2 和 1/3。由于导通损耗降低、发热减少、器件相对较凉，故称 COOLMOS（cool metal oxide semiconductor）。

2. 封装的减小与热阻的降低

相同额定电流的 COOLMOS 管芯较常规 MOSFET 减小到 1/3 与 1/4，使封装减小两个管壳规格，如表1-2 所示。

表1-2 封装与电流、电压额定值

由于 COOLMOS 管芯厚度仅为常规 MOSFET 的 1/3，使 TO-220 封装的结—壳热阻从常规的 1 ℃/W 降到 0.6 ℃/W，额定功率从 125 W 上升到 208 W，管芯散热能力提高。

3. 开关特性的改善

COOLMOS 的栅极电荷与开关参数均优于常规 MOSFET。由于栅电荷 Q_G、特别是栅漏电荷 Q_GD 减少，COOLMOS 开关时间约为常规 MOSFET 的 1/2，开关损耗降低约 50%。关断时间的下降还与 COOLMOS 内部低栅极电阻（<1 Ω）有关。

4. 抗雪崩击穿能力与短路安全工作区（SCSOA）

目前新型 MOSFET 无一例外地具有抗雪崩击穿能力，COOLMOS 同样具备。在相同额定电流下，COOLMOS 的雪崩电流 I_AS 与 I_D(25 ℃) 相同；但由于管芯面积减小，I_AS 小于常规 MOSFET；而具有相同管芯面积时，I_AS 与雪崩能量 E_AS 均大于常规 MOSFET。

COOLMOS 最大的特点之一是它具有短路安全工作区（SCSOA），而常规 MOS 不具备此特性。SCSOA 的获得主要源于转移特性的变化与管芯热阻的降低。COOLMOS 的转移特性如图1-6 所示：当 U_GS>8 V 时，漏极电流不再增加、呈恒流状态。特别是结温升高时恒流值下降，最高结温时约为 I_D(25 ℃) 的 2 倍，即正常工作电流的 3～3.5 倍。短路状态下，漏极电流不会因栅极 15 V 驱动电压而上升到不可容忍的十几倍 I_D(25 ℃)，使 COOLMOS 短路所耗散功率限制在 350 V×2·I_D(25 ℃) 左右，尽可能减少短路时管芯发热。管芯热阻降低可使芯产生热量迅速散发到管壳、抑制温度上升速度。因此 COOLMOS 可在正常栅极电压驱动下，于 0.6·V_DSS 电源电压承受 10 ms 短路冲击（间隔大于 1 s、1000 次不损坏），像 IGBT 一样在短路时得到有效保护。

图1-6 COOLMOS 转移特性