1. 静态特性

MOSFET 的转移特性和输出特性如图1-2 所示。漏极电流 I_D 与栅源电压 U_GS 的关系称为转移特性，I_D 较大时二者近似线性，曲线斜率定义为跨导 G_fs。

图1-2 电力 MOSFET 的转移特性和输出特性

MOSFET 的漏极伏安特性（输出特性）分几个区域：截止区（对应 GTR 截止区）、饱和区（对应 GTR 放大区）、非饱和区（对应 GTR 饱和区）。功率 MOSFET 工作在开关状态，即在截止区与非饱和区之间来回转换。功率 MOSFET 漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。其通态电阻具正温度系数，对器件并联时的均流有利。

2. 动态特性

MOSFET 的测试电路与开关过程波形如图1-3 所示。开通过程技术参数有：开通延迟时间 t_d(on)——脉冲前沿时刻到 U_GS=U_T 并开始出现 i_D 的时刻；上升时间 t_r——U_GS 从 U_T 上升到 MOSFET 进入非饱和区的栅压 U_GSP 的时间段；i_D 稳态值由漏极电源电压与漏极负载电阻决定；U_GSP 与 i_D 稳态值有关，U_GS 达 U_GSP 后继续升高直至达稳态，但 i_D 已不变。

图1-3 电力 MOSFET 的开关过程

开通时间 t_on 为开通延迟时间与上升时间之和。关断延迟时间 t_d(off)——脉冲降至零起，输入电容经 R_s、R_G 放电、U_GS 按指数曲线下降到 U_GSP，i_D 开始减小为零的时间段；下降时间 t_f——U_GS 从 U_GSP 继续下降起、i_D 减小，到 U_GS<U_T 时沟道消失、i_D 降到零为止的时间段。关断时间 t_off 为关断延迟时间与下降时间之和。图中 U_p 为脉冲信号源、R_s 为信号源内阻、R_G 为栅极电阻、R_L 为负载电阻、R_F 为检测漏极电阻。

3. MOSFET 的开关速度

MOSFET 开关速度与输入电容 C_in 的充放电有很大关系。使用者无法降低 C_in，但可降低驱动电路内阻 R_s、减小时间常数、加快开关速度。MOSFET 只靠多子导电、无少子存贮效应，故关断过程非常迅速，开关时间在 10～100 ns 之间，工作频率可达 100 kHz 以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流，但开关过程中需对输入电容充放电、仍需一定驱动功率；开关频率越高所需驱动功率越大。