功率开关器件类型应根据变频电源容量及对体积、质量的要求确定，还要考虑开关频率、制造成本等多方面要求。把 MOS 技术引入功率半导体器件带来一系列应用优点，尤其是…
1. 谐振电感的选择从电路工作过程分析可知，理想情况下谐振电感从零充电至预置电流 Ix 所需时间为 (5-7)预置电流 Ix 的选择取决于两个因素：一是保证续…
在通态中，IGBT 可按照“第一近似”和功率 MOSFET 驱动的 PNP 晶体管建模。假如阴极与阳极间压降不超过 0.7 V，即使栅信号使 MOSFET 沟道…
图1-18 IGBT 的开关过程IGBT 的开通过程与 MOSFET 相似，因为开通过程中 IGBT 在大部分时间作为 MOSFET 运行（如图1-18 所示）…
功率器件的不断发展推动了其驱动电路的发展，相继出现许多专用驱动集成电路。IGBT 的触发和关断要求给栅极和基极之间加上正向电压与负向电压，栅极电压可由不同驱动电…
TLP250（TOSHIBA 公司生产）包含一个 GaAlAs 光发射二极管与一个集成光探测器，8 脚双列封装结构，适用于 IGBT 或功率 MOSFET 的栅…
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是 MOS 结构双极器件，属具有功率 MOSFET 高速性能与双…
N 沟道 IGBT 的工作是通过栅极—发射极间加高于阈值电压 VTH 的正电压，在栅极电极正下方的 P 层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的 N⁻ 层注…
目前变频器中使用的绝缘栅双极晶体管 IGBT 均以模块方式出现，这是生产厂家为使用方便而将分立元器件的多个 IGBT 组合在一起形成的。按组合 IGBT 数量不…
IGBT 的电路符号如图10-22(a)、(b) 所示。由于大功率 IGBT 管内部 c、e 极间通常内接快恢复二极管（FRD），故这类晶体管的电路图形符号如图…
