1. 静态特性MOSFET 的转移特性和输出特性如图1-2 所示。漏极电流 ID 与栅源电压 UGS 的关系称为转移特性，ID 较大时二者近似线性，曲线斜率定义…
在应用器件时，除考虑电压、电流、频率外，还必须掌握如何保护器件不使其在瞬态变化中受损。晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上大面积带来的大电容，其承受 du/d…
在功率半导体器件中，MOSFET 以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换（特别是高频功率变换）中起重要作用。低压领域 MOSFET 没有竞争对手，但随 M…
1. 导通电阻的降低英飞凌（INFINEON）内建横向电场的 MOSFET 耐压有 600 V 与 800 V 两种。与常规 MOSFET 相比：相同管芯面积时…
功率 MOSFET 是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高、驱动功率小、电路简单。但功率 MOSFET 极间电容较大，输入…
MOSFET 原意为 MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）与 FET（Field Effect Transistor，…
