图1-18 IGBT 的开关过程IGBT 的开通过程与 MOSFET 相似，因为开通过程中 IGBT 在大部分时间作为 MOSFET 运行（如图1-18 所示）…
在功率半导体器件中，MOSFET 以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换（特别是高频功率变换）中起重要作用。低压领域 MOSFET 没有竞争对手，但随 M…
脉宽调制（PWM）技术广泛应用于交流电动机调速、开关电源、不间断供电（UPS）等领域，其中 PWM 信号的产生是关键。随电力电子技术不断发展与产品更新，其生成方…
1. 导通电阻的降低英飞凌（INFINEON）内建横向电场的 MOSFET 耐压有 600 V 与 800 V 两种。与常规 MOSFET 相比：相同管芯面积时…
图4-4 为采用 SA866DE 芯片设计的一套简单实用的变频调速驱动装置原理图。系统采用外接 EEPROM 方式，所选 EEPROM 为 Atmel 公司生产…
功率器件的不断发展推动了其驱动电路的发展，相继出现许多专用驱动集成电路。IGBT 的触发和关断要求给栅极和基极之间加上正向电压与负向电压，栅极电压可由不同驱动电…
TLP250（TOSHIBA 公司生产）包含一个 GaAlAs 光发射二极管与一个集成光探测器，8 脚双列封装结构，适用于 IGBT 或功率 MOSFET 的栅…
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是 MOS 结构双极器件，属具有功率 MOSFET 高速性能与双…
N 沟道 IGBT 的工作是通过栅极—发射极间加高于阈值电压 VTH 的正电压，在栅极电极正下方的 P 层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的 N⁻ 层注…
IGCT 利用门极脉冲开通，导通机理与 GTO 完全一样，但关断机理与 GTO 完全不同。表1-9 给出二者工作状态的比较。表1-9 IGCT 和 GTO 的工…
