用试灯检测绝缘栅双极晶体管好坏的方法

试灯检测法的实质是通过指示灯的工作情况判断绝缘栅双极晶体管的好坏。具体方法如下。(1)连接电路。按图10-25 所示连接电路。图中 HL 为指示灯,VT1 为被…

IGCT 设计中的关键技术及其集成

IGCT 的工作原理表明,它是在 GTO 芯片基础上设计的。由于传统 GTO 技术为降低场强而增加芯片厚度,使通态压降与开关损耗增大,故 IGCT 采用了新的器…

IEGT 新型功率器件的结构与特点

在交通、钢铁、电力等国民经济基础工业部门,高压大容量变频器对可靠性的要求特别高。目前这类高压变频器仍以 GTO 与光控晶闸管等大容量电流驱动型电力电子器件为主导…

IEGT 沟槽型结构的工作原理与载流子分布

图1-30(a) 为 IEGT 的一单胞,属沟槽型结构,电子、空穴电流的流动如图中箭头所示。空穴从整个宽的 N 基区被挤压到夹于两窄槽间的 N 沟道区,通过连接…

IEGT 的通态、开关特性及产品形式

1. IEGT 的通态特性采用适当的 MOS 栅结构,促进电子注入效应增大时,从沟道注入 N 层的电子电流也相应增加。若采用槽型结构,则沟道迁移率增大,槽栅越深…

采用 GTR 作为逆变器的变频器的特点

采用 GTR 作为变频器逆变器的典型应用电路如图1-10 所示,其特点主要有以下几方面。图10-10 采用 GTR 作为变频器逆变器的典型应用电路(1)输出电压…

变频电源功率器件的发展与特性比较

20世纪60年代以来,电力电子器件自 SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型功率晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、SIT(静电…

变频电源中功率 MOSFET 的结构与类型

MOSFET 原意为 MOS(Metal Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体)与 FET(Field Effect Transistor,…

变频器智能功率模块(IPM)的构成

(1)智能模块含义。所谓智能模块,就是将与逆变配套的驱动电路、检测与保护电路以及某些接口电路等与功率模块组合在一起的功率集成模块,通常以字母 IPM 表示。图1…

变频器智能功率模块(IPM)的特点

(1)内含过热保护功能。如图10-17 所示,智能模块中的过热保护电路用于保护 IGBT 和续流二极管不致过热损坏。一旦管子结温过高,过热保护电路即动作并输出控…

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