为更清楚说明谐振环节辅助开关的控制原理，先对软开关电路的工作过程作一简单说明。图4-16 单相全桥等效逆变电路图4-17 单相等效电路 ZVT 工作的原理波形图…
新型变频电源主电路结构如图5-7 所示：VD1～VD4 为常规整流器，S1～S4 为常规逆变器，S5、VD5 为 Boost 斩波器。当常规整流器与 Boost…
基于 APFC 技术的整流器主电路采用 Boost 变换器结构（如图5-7 虚线框内所示）。APFC 技术的核心是引入电压与电流反馈构成双闭环控制系统：外环稳定…
图2-12 为串联 H 桥多电平主电路变换器示意图。每相串联单元数为 m，则输出相电压波形所含电平数为 (2m+1)。设每个 H 桥开关函数为 Hk（k=1,2…
在全桥级联式多电平逆变技术中，如果全桥基本电路单元采用中性点钳位式全桥逆变器，就可实现基于中性点钳位式的级联式多电平逆变技术，如图2-13 所示。由其构成原理可…
全桥级联型多电平逆变技术中，独立直流电源采用电压等级相同的电源，为增加输出波形电平数，往往要大量增加独立直流电源数量。为简化电路拓扑，同时结合 IGBT 与 G…
采用三电平 PWM 方式的变频电源，可避免器件串联的动态均压问题，同时降低输出谐波与 du/dt。三电平 PWM 方式整流电路采用二极管，逆变部分功率器件采用 …
在通态中，IGBT 可按照“第一近似”和功率 MOSFET 驱动的 PNP 晶体管建模。假如阴极与阳极间压降不超过 0.7 V，即使栅信号使 MOSFET 沟道…
1. 静态特性MOSFET 的转移特性和输出特性如图1-2 所示。漏极电流 ID 与栅源电压 UGS 的关系称为转移特性，ID 较大时二者近似线性，曲线斜率定义…
在应用器件时，除考虑电压、电流、频率外，还必须掌握如何保护器件不使其在瞬态变化中受损。晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上大面积带来的大电容，其承受 du/d…
