TLP250（TOSHIBA 公司生产）包含一个 GaAlAs 光发射二极管与一个集成光探测器，8 脚双列封装结构，适用于 IGBT 或功率 MOSFET 的栅极驱动电路。图1-20 为 TLP250 内部结构简图，表1-4 给出其工作时的真值表。
表1-4 TLP250 工作时的真值表
图1-20 TLP250 的内部结构简图
TLP250 的典型特征：1）输入阈值电流 IF：5 mA（最大）；2）电源电流 ICC：11 mA（最大）；3）电源电压 UCC：10～35 V；4）输出电流 I0：±0.5 A（最小）；5）开关时间（TPLH/TPHL）：0.5 μs（最大）；6）隔离电压：2500 Vp-p（最小）。
（1）TLP250 的应用。图1-21、图1-22 给出 TLP250 的两种典型应用电路。图1-22 中，VT1、VT2 的选取与用于 IGBT 驱动的栅极电阻直接相关，例如电源电压为 24 V 时，VT1、VT2 的 ICMAX≥24/RG。
图1-21 用于额定值 1200 V/50 A 以下 IGBT 的驱动
图1-22 用于额定值 1200 V/50 A 以上 IGBT 的驱动
TLP250 不具备过流保护功能。当 IGBT 过流时，通过控制信号关断 IGBT，IGBT 中电流下降很陡且有一个反向冲击，将产生很大 di/dt 与开关损耗，对控制电路的过流保护功能要求很高。
（2）TLP250 使用特点：1）输出电流较小，对较大功率 IGBT 驱动时需外加功率放大电路；2）由于流过 IGBT 的电流通过其他电路检测、且仅检测流过 IGBT 的电流，可能对 IGBT 使用效率产生一定影响，如 IGBT 在安全工作区时有时出现提前保护；3）要求控制与检测电路对电流信号响应快，一般由过流发生到 IGBT 可靠关断应在 10 μs 内完成；4）发生过流时 TLP250 得到控制器关断信号，对 IGBT 栅极施加负电压、使其硬关断，主电路 du/dt 比正常开关状态大很多，造成施加于 IGBT 两端电压升高很多、有时可能击穿；5）使用 TLP250 时应在管脚 8 和 5 间连接 0.1 μF 陶瓷电容稳定高增益线性放大器的工作，旁路作用失效会损坏开关性能，电容与光耦之间的引线长度不应超过 1 cm。