图1-30(a) 为 IEGT 的一单胞，属沟槽型结构，电子、空穴电流的流动如图中箭头所示。空穴从整个宽的 N 基区被挤压到夹于两窄槽间的 N 沟道区，通过连接…
1. IEGT 的通态特性采用适当的 MOS 栅结构，促进电子注入效应增大时，从沟道注入 N 层的电子电流也相应增加。若采用槽型结构，则沟道迁移率增大，槽栅越深…
变频器中的集成功率逆变器多以组件形式出现，通常由集成电路功率开关组成，又称变频模块，简称 IPM 模块。IPM 模块铝底基板为绝缘类型。图10-15 为 IPM…
20世纪60年代以来，电力电子器件自 SCR（晶闸管）、GTO（门极可关断晶闸管）、BJT（双极型功率晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应管）、SIT（静电…
MOSFET 原意为 MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）与 FET（Field Effect Transistor，…
1. 控制要求在交流变频调速拖动系统中，根据工艺要求常需选择“工频运行”或“变频运行”。变频运行时电动机既可正转也可反转；当变频器异常时切换到工频电源运行，或在…
IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件，既有 MOSFET 易于驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大的优点。其频率特性介于 MOSFET 与…
IGBT 的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于该氧化膜很薄，其击穿电压一般只有 20～30 V，故栅极击穿是 IGBT 失效的常见原因之一。应用中有时虽…
IGBT 驱动电路必须具有两个功能：一是实现控制电路与被驱动 IGBT 栅极的电隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电隔离可采用脉冲变压器、微分变压器及光电耦…
由于 IGBT 工作在高频、高电压、大电流条件下，较易损坏；且受电网波动、雷击等影响，其所承受应力更大，故 IGBT 的可靠性直接关系到变频电源的可靠性。选择 …
