在交通、钢铁、电力等国民经济基础工业部门，高压大容量变频器对可靠性的要求特别高。目前这类高压变频器仍以 GTO 与光控晶闸管等大容量电流驱动型电力电子器件为主导…
图1-30(a) 为 IEGT 的一单胞，属沟槽型结构，电子、空穴电流的流动如图中箭头所示。空穴从整个宽的 N 基区被挤压到夹于两窄槽间的 N 沟道区，通过连接…
1. IEGT 的通态特性采用适当的 MOS 栅结构，促进电子注入效应增大时，从沟道注入 N 层的电子电流也相应增加。若采用槽型结构，则沟道迁移率增大，槽栅越深…
