变频器中的集成功率逆变器多以组件形式出现，通常由集成电路功率开关组成，又称变频模块，简称 IPM 模块。IPM 模块铝底基板为绝缘类型。图10-15 为 IPM…
变频器整流桥与滤波电容器之间通常都有一只电阻器与一个接触器触点（有的电路采用一只晶闸管，其阳极与阴极与电阻并联、控制极受主电路控制）并联后串接在电路中，如图10…
（1）保护控制。如图10-16 所示，变频功率模块 PM20CTM060 通常受主控制板输送的控制信号控制而工作。功率模块的⑥脚为保护信号输出端，当模块出现过电…
绝缘栅双极型晶体管简称 IGBT，是由场效应晶体管（MOSFET）与电力晶体管（GTR）组合形成的。其主体部分与 GTR 相同，也有集电极 C 与发射极 E；控…
由绝缘栅双极型晶体管构成的基本电路如图10-21 所示。在该电路中，控制信号为电压信号 UGE，栅极与发射极之间输入阻抗很大，故信号电流与驱动功率（控制功耗）均…
GTR 电力晶体管开通时间指从基极通入正向信号电流 IB1（GTR 第一级管子的基极电流）起，到集电极电流上升到饱和电流的 90%（0.9Ics）所需的时间，通…
（1）基极电流的计算。以单复合管 GTR 为例，等效电路如图10-3 所示。由于集电极电流的大小由基极电流确定，故有 IC=β·IB，式中 IC 为单复合管 G…
当加到单复合管 GTR 基极上的电流等于 0 时，GTR 进入截止状态，其等效电路如图10-4 所示。此时 IC≈0 A（只有极小的漏电流），UCE≈UC（集电…
当 IB>UC/RC 时，单复合管 GTR 进入饱和导通状态，其等效电路如图10-5 所示，图中虚线等效于连接短路线。图10-5 单复合管 GTR 饱和导…
在变频器中，电力晶体管 GTR 缓冲电路的典型结构如图10-9 所示。该电路的主要作用是减小 GTR 从饱和转变为截止时，集电极与发射极之间的电压变化率。图10…
