IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件，既有 MOSFET 易于驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大的优点。其频率特性介于 MOSFET 与…
IGBT 的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于该氧化膜很薄，其击穿电压一般只有 20～30 V，故栅极击穿是 IGBT 失效的常见原因之一。应用中有时虽…
由于 IGBT 工作在高频、高电压、大电流条件下，较易损坏；且受电网波动、雷击等影响，其所承受应力更大，故 IGBT 的可靠性直接关系到变频电源的可靠性。选择 …
IGBT 的过流保护电路可分为两类：一类是低倍数（1.2～1.5 倍）的过载保护；另一类是高倍数（可达 8～10 倍）的短路保护。过载保护不必快速响应，可采用集…
