IGBT 驱动电路必须具有两个功能：一是实现控制电路与被驱动 IGBT 栅极的电隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电隔离可采用脉冲变压器、微分变压器及光电耦合器。

图3-7 为采用光耦合器等分立元器件构成的 IGBT 驱动电路。输入控制信号时，光耦 VLC 导通、VT2 截止、VT3 导通输出 +15 V 驱动电压；输入信号为零时 VLC 截止、VT2 与 VT4 导通，输出 -10 V 电压。+15 V、-10 V 电源应靠近驱动电路，驱动电路输出端及电源地端至 IGBT 栅极、发射极的引线应采用双绞线，长度最好不超过 0.5 m。

图3-7 分立器件构成的 IGBT 驱动电路

图3-8 为采用集成电路 TLP250 构成的驱动器。TLP250 内置光耦的隔离电压可达 2500 V，上升、下降时间均小于 0.5 μs，输出电流达 0.5 A，可直接驱动 50 A/1200 V 以内的 IGBT；外加推挽放大晶体管后可驱动电流容量更大的 IGBT。TLP250 驱动器体积小、价格便宜，是无需过流保护的 IGBT 驱动器中较理想的选择。

图3-8 集成电路 TLP250 构成的驱动器