MOSFET 原意为 MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）与 FET（Field Effect Transistor，场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率场效应晶体管也分结型与绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的 MOS 型，简称功率 MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称静电感应晶体管（Static Induction Transistor, SIT）。其特点是用栅极电压控制漏极电流，驱动电路简单、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、热稳定性优于 GTR，但电流容量小、耐压低，一般仅适用于功率不超过 10 kW 的电力电子装置。

功率 MOSFET 的种类：按导电沟道分为 P 沟道与 N 沟道；按栅极电压幅值分为耗尽型与增强型（耗尽型栅极电压为零时漏源极间即存在导电沟道，增强型对 N（P）沟道器件栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道），功率 MOSFET 主要是 N 沟道增强型。

功率 MOSFET 的内部结构与电气符号如图1-1 所示。其导通时只有一种极性的载流子（多数载流子）参与导电，属单极型晶体管；导电机理与小功率 MOS 管相同，但结构差异较大：小功率 MOS 管是横向导电器件，功率 MOSFET 大都采用垂直导电结构（又称 VMOSFET、Vertical MOSFET），大大提高了器件的耐压与耐电流能力。

图1-1 功率 MOSFET 的结构和电气图形符号

按垂直导电结构差异，又分为利用 V 型槽实现垂直导电的 VVMOSFET 与具有垂直导电双扩散 MOS 结构的 VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文以 VDMOS 器件为例讨论。功率 MOSFET 为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的 HEXFET 采用六边形单元、西门子公司的 SIPMOSFET 采用正方形单元、摩托罗拉公司的 TMOS 采用矩形单元按“品”字形排列。