选用 IPM 时，首先根据变频电源容量（负载额定功率），同时考虑供电电源容量，确定其额定值和最大值，然后选择具体型号。选型时有两个主要方面需考虑：根据 IPM …
驱动电路是 IPM 主电路与控制电路之间的接口，良好的驱动电路设计对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。1. IPM 驱动电路以 PM100DSA120…
基于 APFC 技术的整流器主电路采用 Boost 变换器结构（如图5-7 虚线框内所示）。APFC 技术的核心是引入电压与电流反馈构成双闭环控制系统：外环稳定…
在通态中，IGBT 可按照“第一近似”和功率 MOSFET 驱动的 PNP 晶体管建模。假如阴极与阳极间压降不超过 0.7 V，即使栅信号使 MOSFET 沟道…
1. 静态特性MOSFET 的转移特性和输出特性如图1-2 所示。漏极电流 ID 与栅源电压 UGS 的关系称为转移特性，ID 较大时二者近似线性，曲线斜率定义…
在应用器件时，除考虑电压、电流、频率外，还必须掌握如何保护器件不使其在瞬态变化中受损。晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上大面积带来的大电容，其承受 du/d…
图1-18 IGBT 的开关过程IGBT 的开通过程与 MOSFET 相似，因为开通过程中 IGBT 在大部分时间作为 MOSFET 运行（如图1-18 所示）…
在功率半导体器件中，MOSFET 以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换（特别是高频功率变换）中起重要作用。低压领域 MOSFET 没有竞争对手，但随 M…
脉宽调制（PWM）技术广泛应用于交流电动机调速、开关电源、不间断供电（UPS）等领域，其中 PWM 信号的产生是关键。随电力电子技术不断发展与产品更新，其生成方…
1. 导通电阻的降低英飞凌（INFINEON）内建横向电场的 MOSFET 耐压有 600 V 与 800 V 两种。与常规 MOSFET 相比：相同管芯面积时…
