1）PWM 产生逻辑PWM 发生器是实现脉冲序列的核心，脉冲调制信号通过比较输入参考波形与高频载波获得。SA866DE 采用异步不对称规则采样调制方法，工作波形…
功率器件的不断发展推动了其驱动电路的发展，相继出现许多专用驱动集成电路。IGBT 的触发和关断要求给栅极和基极之间加上正向电压与负向电压，栅极电压可由不同驱动电…
功率 MOSFET 是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高、驱动功率小、电路简单。但功率 MOSFET 极间电容较大，输入…
TLP250（TOSHIBA 公司生产）包含一个 GaAlAs 光发射二极管与一个集成光探测器，8 脚双列封装结构，适用于 IGBT 或功率 MOSFET 的栅…
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是 MOS 结构双极器件，属具有功率 MOSFET 高速性能与双…
N 沟道 IGBT 的工作是通过栅极—发射极间加高于阈值电压 VTH 的正电压，在栅极电极正下方的 P 层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的 N⁻ 层注…
集成门极换流晶闸管（IGCT），也有人称发射极关断晶闸管（ETO），实际上是关断增益为 1 的 GTO，又是把 MOSFET 管从器件（半导体）内部拿到外部的 …
IGCT 利用门极脉冲开通，导通机理与 GTO 完全一样，但关断机理与 GTO 完全不同。表1-9 给出二者工作状态的比较。表1-9 IGCT 和 GTO 的工…
IGCT 的工作原理表明，它是在 GTO 芯片基础上设计的。由于传统 GTO 技术为降低场强而增加芯片厚度，使通态压降与开关损耗增大，故 IGCT 采用了新的器…
下面介绍瑞士 ABB 公司 5SHY351A502 器件的通断特性和关断状态下的典型参数。1. 通态特性5SHY351A502 中的 GCT 在给定阻断电压范围…
