为便于 IGCT 与 GTO、IGBT 的应用比较，下面从使用角度对三种 3.3 kV 器件的部分特性作粗略比较，见表1-11。可见 IGCT 兼具 GTO 与…
在交通、钢铁、电力等国民经济基础工业部门，高压大容量变频器对可靠性的要求特别高。目前这类高压变频器仍以 GTO 与光控晶闸管等大容量电流驱动型电力电子器件为主导…
图1-30(a) 为 IEGT 的一单胞，属沟槽型结构，电子、空穴电流的流动如图中箭头所示。空穴从整个宽的 N 基区被挤压到夹于两窄槽间的 N 沟道区，通过连接…
1. IEGT 的通态特性采用适当的 MOS 栅结构，促进电子注入效应增大时，从沟道注入 N 层的电子电流也相应增加。若采用槽型结构，则沟道迁移率增大，槽栅越深…
采用加接干电池的方法检测时，可在黑表笔端串接一只 200 Ω 可调电阻器和 1～3 节 1.5 V 干电池（根据被测晶闸管容量而定，当其工作电流大于 100 A…
在变频器内部整流电路中采用多只电容器并联使用，其两端通常还并联一只电阻。原因与作用如下。（1）并联电容的原因。变频器内部整流电路工作电压较高，而电解电容器耐压一…
（1）检测电路。采用指示灯测量中、大功率晶闸管触发能力的连接电路如图10-36 所示。电路中 VS 为被测晶闸管，HL 为 6.3 V 指示灯（手电筒中的小电珠…
MOSFET 原意为 MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）与 FET（Field Effect Transistor，…
IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件，既有 MOSFET 易于驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大的优点。其频率特性介于 MOSFET 与…
IGBT 的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于该氧化膜很薄，其击穿电压一般只有 20～30 V，故栅极击穿是 IGBT 失效的常见原因之一。应用中有时虽…
