为便于 IGCT 与 GTO、IGBT 的应用比较，下面从使用角度对三种 3.3 kV 器件的部分特性作粗略比较，见表1-11。可见 IGCT 兼具 GTO 与 IGBT 两者的优点。IGCT 的应用情况可从可靠性、吸收与钳位电路、功率和频率及其适用范围方面讨论。
表1-11 三种 3.3 kV 器件的特性比较
1. 可靠性
实际应用中，可靠性是衡量电力电子装置的重要指标，装置所用分立元件数目越少可靠性越高。可靠性一般用失效率（FIT）表示，FIT 依赖芯片数、键合线、焊接质量、结终端结构、工作温度、机械与电应力等因素。单个半导体芯片典型的固有失效率为 10 FIT（即 10⁹ 器件工作时内有 10 次故障）；门极自身含许多有源和无源元件，失效率约 500 FIT。采用不同元件的逆变器失效率不同。表1-12 给出用于大功率逆变器（3 MVA/600 Hz）的 GTO、IGBT 与 IGCT 的比较，可见 IGCT 在可靠性、损耗、质量、体积、热循环能力、模块化水平等指标上均优于 GTO 与 IGBT。
表1-12 用于大功率逆变器（3 MVA/600 Hz）GTO、IGBT、IGCT 的比较
当器件电流增加时失效率也相应提高。由于可靠性要求总元件数低于一定值，使用时在价格与可靠性两方面难以很好协调，需折衷考虑。
2. 吸收电路和钳位电路
理想的开关既不需要吸收电路也不需要钳位电路，并允许电流电压快速变化。实际应用中由于实际负载（如电动机）不能接受这种运行方式，因此要求理想开关足够慢，以使其负载及相关电路的电压、电流不会急剧变化。理想的 IGCT 在合适门极下主要呈类晶体管特性，门极不能控制阳极的 du/dt、di/dt，其阳极电压上升率 du/dt 可由基极开路的阳极 PNP 晶体管控制，并由设计的阳极区掺杂确定，一般可确定在 1500 V/μs 与 4000 V/μs 之间，目前能实现的约为 3000 V/μs。因此关断 du/dt 不可能也不需要采用门极控制，更无需用任何吸收电路限制。这不仅提高 IGCT 开关速度与可靠性，也减小了吸收回路产生的损耗。
开通时几百安培的门极脉冲电流加在 IGCT 上，其内部承受 di/dt 的能力很大，而与之集成的续流二极管（FWD）内部承受 di/dt 的能力却受到限制，故需对 FWD 开通电流的 di/dt 加以限制。因此 IGCT 与 IGBT 最大的不同是：IGCT 必须有外部 di/dt 吸收电路，而 IGBT 可通过门极控制来限制 di/dt。
因此在 IGCT 电路设计中主要采用 di/dt 吸收电路（du/dt 吸收电路为备用）。低频工作情况下采用电压吸收电路（R-C-D 网络）没有问题，其损耗很小，但使 IGCT 可关断电流增加；高频下可省去电压吸收电路。
图1-29 电压钳位和 di/dt 吸收的组合电路
图1-29 给出电压钳位与 di/dt 吸收的组合电路，其中直流中间回路的杂散电感必须严格保持最小值（<300 nH），否则会出现损耗过大与电压过冲，此时需另加电压吸收电路。
由于 IGCT 存储时间极短（<3 μs），不需选择和调整就能可靠串联；若在每个器件上加电压吸收电路，最大存储时间可缩短到 300 ns 以内。因此 IGCT 能简单串联，这是开发新型大功率逆变器的关键技术之一。
3. 功耗和频率
任何半导体器件总损耗由可行冷却方式决定，包括开关损耗与通态损耗。通态损耗越低，留给开关损耗的“余量”越大。在无吸收的晶体管电路中，最高工作频率受开关损耗限制。表1-13 给出在 IA=1.2 kA、UD=3 kV、f=500 Hz、Duty=50% 条件下，6 kV/4 kA 的 IGCT 与 4.5 kV/1.2 kA 的 HVIGBT 损耗比较。可见虽 IGCT 有外部电路损耗，但总耗约为 HVIGBT 的 75%，主要因其开通损耗非常低。因此在确定冷却方式下 IGCT 可能工作在较 HVIGBT 稍高的频率。目前 IGCT 设计电压范围在 3.3～6 kV 之间，按通常折衷方法（电压、电流、占空比、冷却），要求 6 kV 器件能工作在 1 kHz、3.3 kV 器件能工作在 3 kHz。
表1-13 IGCT 与 HVIGBT 的损耗比较
4. 适用范围
与 GTO、IGBT 相比，IGCT 具损耗低、开关速度快、内部机械部件极少等优点，保证其低成本与紧凑结构，能可靠高效地应用于各种驱动控制、静态无功补偿器（SVG）、感应加热谐振转换器、静态阻断器等电力变流器及柔性交流传输系统（FACTS）和民用电力市场。对中压大功率应用，可利用 IGCT 能简单可靠串联这一关键技术。
由于最新技术飞跃，IGCT 未来发展仍有巨大潜力，主要在于降低指定装置成本，其新技术可归纳为四个领域：二极管的发展（无吸收二极管）、阻断电压（6 kV、9 kV）、封装（塑料、水冷器件、低温键合、应变缓冲片）与钝化技术（无机钝化）。提高可靠性和降低成本是未来发展的动力，实际上是要求改进封装技术并在封装中集成驱动与保护等电路，封装技术可能成为重要研究课题。
综上所述，IGCT 在功率、可靠性、速度、效率、成本、质量与体积等方面均达到新的性能标准，并仍有很大发展潜力，必将成为大功率应用中首选的电力半导体器件。IGCT 包含了未来电力电子应用所需的重要技术，是对电力电子技术的重大贡献。因其存储时间短、不同器件间关断时间偏差极小，特别适用于串联使用；优越的关断特性可进行无吸收逆变器设计，即使在数万赫兹频率下工作也能应付复杂短暂的控制过程。IGCT 集 GTO 技术与现代功率晶体管 IGBT 优点于一身，利用大功率关断器件简单可靠串联这一关键技术，在中高压领域及 0.5～100 MVA 大功率应用领域尚无真正对手。由于其在电力电子中的重要性，目前已在世界范围内掀起 IGCT 器件技术研究热潮。