普通晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电性能，其结构可等效为一只 PNP 三极管与一只 NPN 三极管组成的复合管，如图10-19 所示。图10-19 普通晶闸管…
IGBT 的电路符号如图10-22(a)、(b) 所示。由于大功率 IGBT 管内部 c、e 极间通常内接快恢复二极管（FRD），故这类晶体管的电路图形符号如图…
1. 电源与变频器之间的导线一般来说，与同容量普通电动机的导线选择方法相同。考虑到变频器输入端功率因数较低，应本着“宜大不宜小”的原则选择导线直径。2. 变频器…
电力晶体管又称大功率晶体管或双极晶体管，简称 GTR 或 BJT，是一种由两个或多个晶体管复合而成的复合型晶体管（达林顿管）。通常多以模块封装方式出现。图10-…
由图10-1 可见，晶体管 VT1 与 VT2 复合后的集电极作为 GTR 模块的 C 极，复合后的发射极作为 GTR 的 E 极，复合后的基极作为 GTR 的…
电力晶体管 GTR 在变频器中主要用于逆变桥，生产厂家常将两个 GTR 集成在一起制成双复合管模块，其内部典型结构如图10-2 所示；也有将六个 GTR 集成在…
1. 控制要求实际生产中，许多生产机械的正、反转运行速度需经常改变。通过设置变频器参数、使用 PLC 对变频器进行控制即可达到目的。图5-18 为变频器实际运行…
IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件，既有 MOSFET 易于驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大的优点。其频率特性介于 MOSFET 与…
变频器工作时会产生高次谐波干扰信号。在变频器输入侧安装噪声滤波器，可防止高次谐波干扰信号窜入电网、干扰电网中的其他设备，也可阻止电网中的干扰信号窜入变频器；变频…
IGBT 的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于该氧化膜很薄，其击穿电压一般只有 20～30 V，故栅极击穿是 IGBT 失效的常见原因之一。应用中有时虽…
