IGCT 利用门极脉冲开通，导通机理与 GTO 完全一样，但关断机理与 GTO 完全不同。表1-9 给出二者工作状态的比较。表1-9 IGCT 和 GTO 的工…
IGCT 的工作原理表明，它是在 GTO 芯片基础上设计的。由于传统 GTO 技术为降低场强而增加芯片厚度，使通态压降与开关损耗增大，故 IGCT 采用了新的器…
下面介绍瑞士 ABB 公司 5SHY351A502 器件的通断特性和关断状态下的典型参数。1. 通态特性5SHY351A502 中的 GCT 在给定阻断电压范围…
为便于 IGCT 与 GTO、IGBT 的应用比较，下面从使用角度对三种 3.3 kV 器件的部分特性作粗略比较，见表1-11。可见 IGCT 兼具 GTO 与…
在交通、钢铁、电力等国民经济基础工业部门，高压大容量变频器对可靠性的要求特别高。目前这类高压变频器仍以 GTO 与光控晶闸管等大容量电流驱动型电力电子器件为主导…
图1-30(a) 为 IEGT 的一单胞，属沟槽型结构，电子、空穴电流的流动如图中箭头所示。空穴从整个宽的 N 基区被挤压到夹于两窄槽间的 N 沟道区，通过连接…
1. IEGT 的通态特性采用适当的 MOS 栅结构，促进电子注入效应增大时，从沟道注入 N 层的电子电流也相应增加。若采用槽型结构，则沟道迁移率增大，槽栅越深…
20世纪60年代以来，电力电子器件自 SCR（晶闸管）、GTO（门极可关断晶闸管）、BJT（双极型功率晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应管）、SIT（静电…
MOSFET 原意为 MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）与 FET（Field Effect Transistor，…
1. 电源与变频器之间的导线一般来说，与同容量普通电动机的导线选择方法相同。考虑到变频器输入端功率因数较低，应本着“宜大不宜小”的原则选择导线直径。2. 变频器…
