IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件，既有 MOSFET 易于驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大的优点。其频率特性介于 MOSFET 与…
IGBT 的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于该氧化膜很薄，其击穿电压一般只有 20～30 V，故栅极击穿是 IGBT 失效的常见原因之一。应用中有时虽…
IGBT 驱动电路必须具有两个功能：一是实现控制电路与被驱动 IGBT 栅极的电隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电隔离可采用脉冲变压器、微分变压器及光电耦…
由于 IGBT 工作在高频、高电压、大电流条件下，较易损坏；且受电网波动、雷击等影响，其所承受应力更大，故 IGBT 的可靠性直接关系到变频电源的可靠性。选择 …
IGBT 的过流保护电路可分为两类：一类是低倍数（1.2～1.5 倍）的过载保护；另一类是高倍数（可达 8～10 倍）的短路保护。过载保护不必快速响应，可采用集…
驱动电路的常用形式是分立元件构成的驱动电路，但目前趋势是采用专用的集成驱动电路。SCALE 集成驱动器由瑞士 CONCEPT 公司生产，专为 IGBT 和功率 …
SCALE 集成驱动器是专为 IGBT 和功率 MOSFET 设计的驱动器，可应用于多种电力电子装置。应用 SCALE 驱动器时应首先考虑三个问题：一是工作方式…
变频电源逆变电路的核心部件——大功率开关器件，一般分为双极型、单极型与混合型三类。双极型有 GTO、GTR、SITH 等；单极型有功率 MOSFET、SIT 等…
IR2110 是一种双通道高压、高速电压型功率开关器件栅极驱动器，具有自举浮动电源，驱动电路简单，只用一路电源即可同时驱动上、下桥臂。但 IR2110 不能产生…
（1）额定值。IR2110 的电气特性额定值见表3-1。表3-1 IR2110 电气特性额定值（2）推荐工作条件。IR2110 推荐工作条件见表3-2。表3-2…
