图2-12 为串联 H 桥多电平主电路变换器示意图。每相串联单元数为 m，则输出相电压波形所含电平数为 (2m+1)。设每个 H 桥开关函数为 Hk（k=1,2…
在全桥级联式多电平逆变技术中，如果全桥基本电路单元采用中性点钳位式全桥逆变器，就可实现基于中性点钳位式的级联式多电平逆变技术，如图2-13 所示。由其构成原理可…
全桥级联型多电平逆变技术中，独立直流电源采用电压等级相同的电源，为增加输出波形电平数，往往要大量增加独立直流电源数量。为简化电路拓扑，同时结合 IGBT 与 G…
多重化技术就是每相采用几个低压 PWM 功率单元串联组成，各功率单元由一个多绕组隔离变压器供电，用高速微处理器实现控制并以光导纤维隔离驱动。多重化技术从根本上解…
PWM 控制技术的发展使逆变器产生的电压波形基本消除低次谐波。二电平比三电平整体效果更好，与多重化相差不大，低频段波形优于多电平和多重化。同时，多电平、多重化与…
采用三电平 PWM 方式的变频电源，可避免器件串联的动态均压问题，同时降低输出谐波与 du/dt。三电平 PWM 方式整流电路采用二极管，逆变部分功率器件采用 …
在通态中，IGBT 可按照“第一近似”和功率 MOSFET 驱动的 PNP 晶体管建模。假如阴极与阳极间压降不超过 0.7 V，即使栅信号使 MOSFET 沟道…
1. 静态特性MOSFET 的转移特性和输出特性如图1-2 所示。漏极电流 ID 与栅源电压 UGS 的关系称为转移特性，ID 较大时二者近似线性，曲线斜率定义…
在应用器件时，除考虑电压、电流、频率外，还必须掌握如何保护器件不使其在瞬态变化中受损。晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上大面积带来的大电容，其承受 du/d…
图1-18 IGBT 的开关过程IGBT 的开通过程与 MOSFET 相似，因为开通过程中 IGBT 在大部分时间作为 MOSFET 运行（如图1-18 所示）…
