IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件,既有 MOSFET 易于驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大的优点。其频率特性介于 MOSFET 与功率晶体管之间,可正常工作于几十 kHz 频率范围,故在较高频率的大、中功率应用中占据主导地位。IGBT 是电压控制型器件,在栅极与发射极间施加十几伏直流电压时,仅有 μA 级漏电流流过,基本不消耗功率。但栅极与发射极间存在较大的寄生电容(几千至上万 pF),在驱动脉冲电压的上升及下降沿需提供数安培的充放电电流,才能满足开通与关断的动态要…