（1）截止→饱和。为保证晶体管尽快进入饱和状态，开始导通时的基极电流较大；当晶体管已进入饱和状态时，为便于切换时容易退出饱和，电路适当减小基极电流以减轻饱和深度。
（2）饱和→截止。为保证晶体管尽快进入截止状态，电路中基极（b）与发射极（e）之间采用反向配置方式。基极、发射极间刚开始加入反向电压时，基区里过剩的载流子被迅速抽出，故有较大的反向电流。
（3）保护电路。由于晶体管 VT1、VT2 基极与发射极之间的反向击穿电压 UCEO 较低（通常小于 6 V），为防止反向配置时被击穿，通常在其基极、发射极间连接保护电阻或二极管等，这些元件一般集成在集成电路内（以图10-7 所示电路为例）；若为分立元器件驱动电路，则保护元件直接连接在晶体管基极与发射极之间。
（4）电路元件作用。图10-7 所示电路中，晶体管 VT1、VT2 构成集成电路外接的互补驱动电路，其中 VT1 用于向电力晶体管 GTR（即 VT3）提供正向驱动电流，VT2 用于向 VT3 提供反向驱动电流。
图10-7 GTR 的基极控制电路的典型结构示意图