在变频器的场效应管驱动电路中，比较理想的栅极控制电压波形如图10-13 所示。从截止转变为导通时，应适当提高栅极电压 UG1 的上升率，以缩短开通时间；从导通转…
图10-14 为变频器中场效应管的典型驱动电路，其基本工作原理简述如下。图10-14 变频器中场效应管的典型驱动电路（1）驱动信号 U1 为“+”时，晶体管 V…
在变频器中，用于驱动控制电力晶体管 GTR 的基极电路的典型结构如图10-7 所示。图10-7 GTR 的基极控制电路的典型结构示意图图中的 VT3 即为电力晶…
（1）截止→饱和。为保证晶体管尽快进入饱和状态，开始导通时的基极电流较大；当晶体管已进入饱和状态时，为便于切换时容易退出饱和，电路适当减小基极电流以减轻饱和深度…
IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件，既有 MOSFET 易于驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大的优点。其频率特性介于 MOSFET 与…
变频器工作时会产生高次谐波干扰信号。在变频器输入侧安装噪声滤波器，可防止高次谐波干扰信号窜入电网、干扰电网中的其他设备，也可阻止电网中的干扰信号窜入变频器；变频…
IGBT 的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于该氧化膜很薄，其击穿电压一般只有 20～30 V，故栅极击穿是 IGBT 失效的常见原因之一。应用中有时虽…
IGBT 驱动电路必须具有两个功能：一是实现控制电路与被驱动 IGBT 栅极的电隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电隔离可采用脉冲变压器、微分变压器及光电耦…
由于 IGBT 工作在高频、高电压、大电流条件下，较易损坏；且受电网波动、雷击等影响，其所承受应力更大，故 IGBT 的可靠性直接关系到变频电源的可靠性。选择 …
IGBT 的过流保护电路可分为两类：一类是低倍数（1.2～1.5 倍）的过载保护；另一类是高倍数（可达 8～10 倍）的短路保护。过载保护不必快速响应，可采用集…
