1. IPM 的结构IPM 由高速、低功率的 IGBT 芯片和优选的门极驱动及保护电路构成（如图5-3 所示）。其中 IGBT 是 GTR 与 MOSFET 的…
图2-12 为串联 H 桥多电平主电路变换器示意图。每相串联单元数为 m，则输出相电压波形所含电平数为 (2m+1)。设每个 H 桥开关函数为 Hk（k=1,2…
在通态中，IGBT 可按照“第一近似”和功率 MOSFET 驱动的 PNP 晶体管建模。假如阴极与阳极间压降不超过 0.7 V，即使栅信号使 MOSFET 沟道…
1. 静态特性MOSFET 的转移特性和输出特性如图1-2 所示。漏极电流 ID 与栅源电压 UGS 的关系称为转移特性，ID 较大时二者近似线性，曲线斜率定义…
交-直-交电压型变频器的构成如图3-1 所示，它不仅广泛应用于电力拖动调速系统，也普遍用于高精度稳频稳压电源与不间断电源。该变频器由整流器与逆变器组成，在逆变器…
电压型变频在再生制动时必须接入附加电路，使电路复杂化；电流型变频器可弥补此不足，且主电路结构简单、安全可靠。交-直-交电流型变频器的构成如图3-10 所示。图3…
谐振直流环节逆变器有效改善了 PWM 技术开关损耗大的缺点。谐振型变频利用谐振原理使 PWM 逆变器开关器件在零电压或零电流下进行开关状态转换，即软开关技术；而…
图示为 INA217 信号和电源的基本连接电路。芯片电源端要用 0.1 μF 钽电容滤波，PCB 布线时应尽可能使钽电容靠近芯片电源脚放置。基准端 Ref（5 …
电磁干扰滤波器的基本电路如图 1 所示。该五端器件有两个输入端、两个输出端和一个接地端，使用时外壳应接通大地。电路中包括共模扼流圈（亦称共模电感）L、滤波电容 …
图示为二极管作为温度传感器的应用电路。电路中采用硅二极管 VD1 和 VD2 作为温度传感器，硅二极管的温度系数约为 2 mV/℃。A1 和 VT1 等构成恒流…
