（1）故障特点。变频器整流电路中，有时出现晶闸管加有触发脉冲却不能导通的故障，此种故障较隐蔽。以三相全控整流桥为例（见图10-32），若负载较轻，一只晶闸管失效…
在变频器的场效应管驱动电路中，比较理想的栅极控制电压波形如图10-13 所示。从截止转变为导通时，应适当提高栅极电压 UG1 的上升率，以缩短开通时间；从导通转…
图10-14 为变频器中场效应管的典型驱动电路，其基本工作原理简述如下。图10-14 变频器中场效应管的典型驱动电路（1）驱动信号 U1 为“+”时，晶体管 V…
在变频器内部整流电路中采用多只电容器并联使用，其两端通常还并联一只电阻。原因与作用如下。（1）并联电容的原因。变频器内部整流电路工作电压较高，而电解电容器耐压一…
普通晶闸管电路图形符号及结构与等效电路如图10-18 与图10-19 所示。普通晶闸管是由 PNPN 4 层半导体材料构成的三端半导体器件，三个引出端分别为阳极…
IGBT 的电路符号如图10-22(a)、(b) 所示。由于大功率 IGBT 管内部 c、e 极间通常内接快恢复二极管（FRD），故这类晶体管的电路图形符号如图…
1. 主电路接线注意事项①主电路电源端子 L1、L2、L3 经接触器与空气开关连接至电源，不需考虑相序。②不应以主电路的通断进行变频器的运行、停止操作，而应使用…
IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件，既有 MOSFET 易于驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大的优点。其频率特性介于 MOSFET 与…
IGBT 的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于该氧化膜很薄，其击穿电压一般只有 20～30 V，故栅极击穿是 IGBT 失效的常见原因之一。应用中有时虽…
IGBT 驱动电路必须具有两个功能：一是实现控制电路与被驱动 IGBT 栅极的电隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电隔离可采用脉冲变压器、微分变压器及光电耦…
