普通晶闸管电路图形符号及结构与等效电路如图10-18 与图10-19 所示。普通晶闸管是由 PNPN 4 层半导体材料构成的三端半导体器件，三个引出端分别为阳极…
普通晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电性能，其结构可等效为一只 PNP 三极管与一只 NPN 三极管组成的复合管，如图10-19 所示。图10-19 普通晶闸管…
绝缘栅双极型晶体管简称 IGBT，是由场效应晶体管（MOSFET）与电力晶体管（GTR）组合形成的。其主体部分与 GTR 相同，也有集电极 C 与发射极 E；控…
由绝缘栅双极型晶体管构成的基本电路如图10-21 所示。在该电路中，控制信号为电压信号 UGE，栅极与发射极之间输入阻抗很大，故信号电流与驱动功率（控制功耗）均…
IGBT 的电路符号如图10-22(a)、(b) 所示。由于大功率 IGBT 管内部 c、e 极间通常内接快恢复二极管（FRD），故这类晶体管的电路图形符号如图…
电力晶体管又称大功率晶体管或双极晶体管，简称 GTR 或 BJT，是一种由两个或多个晶体管复合而成的复合型晶体管（达林顿管）。通常多以模块封装方式出现。图10-…
GTR 电力晶体管开通时间指从基极通入正向信号电流 IB1（GTR 第一级管子的基极电流）起，到集电极电流上升到饱和电流的 90%（0.9Ics）所需的时间，通…
由图10-1 可见，晶体管 VT1 与 VT2 复合后的集电极作为 GTR 模块的 C 极，复合后的发射极作为 GTR 的 E 极，复合后的基极作为 GTR 的…
电力晶体管 GTR 在变频器中主要用于逆变桥，生产厂家常将两个 GTR 集成在一起制成双复合管模块，其内部典型结构如图10-2 所示；也有将六个 GTR 集成在…
（1）基极电流的计算。以单复合管 GTR 为例，等效电路如图10-3 所示。由于集电极电流的大小由基极电流确定，故有 IC=β·IB，式中 IC 为单复合管 G…
