绝缘栅双极型晶体管简称 IGBT，是由场效应晶体管（MOSFET）与电力晶体管（GTR）组合形成的。其主体部分与 GTR 相同，也有集电极 C 与发射极 E；控制极结构与 MOSFET 相同，为绝缘栅结构，称栅极 G，如图10-20 所示。

图10-20 绝缘栅双极型晶体管结构示意图