场效应管（FET）具有以下一些突出的优点，因而在电子电路中获得广泛应用：

（1）输入阻抗高：场效应管栅-源极间 PN 结处于反偏状态或绝缘状态，其输入电阻可达 10⁷～10¹⁵ Ω，而普通晶体管的输入电阻（基极电路）仅有 10³～10⁶ Ω。

（2）噪声低、温度稳定性好：由于场效应管的增益控制是通过改变导电沟道来实现、不涉及电子的注入，其噪声系数较小。

（3）抗辐射能力强：场效应管较强的抗辐射能力使其在航天、核工业等领域得到应用。

（4）能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。