一、理论预言

基础电子学教科书列出三个基本无源电路元件：电阻器、电容器与电感器；电路的四大基本变量为电流、电压、电荷与磁通量。加州大学伯克利分校蔡少棠（Leon Chua）教授37年前即预测第四种元件——忆阻器（memristor）的存在。简单说，忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻：通过控制电流变化可改变其阻值，若将高阻值定义为“1”、低阻值定义为“0”，即可实现数据存储。

二、RRAM研究背景

自2000年起，研究人员已在多种二元金属氧化物与钙钛矿结构（ABO3）薄膜中发现电场作用下的电阻变化，并将其应用于下一代非易失性存储器——阻抗存储器（RRAM）。英飞凌、三星、美光、夏普、Unity、Spansion等公司早已开展RRAM研发，预计未来数年将有RRAM产品陆续上市。电阻转变机理仍有争议，一般认为薄膜中氧空位迁移形成的导电细丝（filament）是电阻变化的原因。

三、惠普的验证

惠普实验室认为RRAM即蔡少棠所称的忆阻器，其基于TiO2的RRAM器件于2008年5月1日发表于《自然》期刊。蔡少棠1971年发表《忆阻器：下落不明的电路元件》提供原始理论架构；惠普以《寻获下落不明的忆阻器》为题呼应。RRAM可令手机使用数周不需充电、PC开机即启动、笔记本电池耗尽后仍记忆信息，并挑战闪存：存储更快、功耗更低、占用更小。忆阻器运作方式与人脑类似，未来或能实现模式记忆与关联，为即开型PC、更高能效计算机及类脑模拟计算机铺平道路，并可能通过提高晶体管功能密度对电子科学产生重大影响。