一、概述

可控硅是以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，因特性类似真空闸流管而通称硅晶体闸流管（晶闸管）；因最初用于可控整流又称硅可控整流元件（SCR）。可控硅不仅具有单向导电性，还具可控性，只有导通与关断两种状态。超过允许频率时开关损耗显著增加、允许平均电流降低，标称电流应降级使用。

可控硅优点：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；微秒级开通、关断；无触点运行、无火花、无噪音；效率高、成本低。弱点：静态与动态过载能力较差，易受干扰而误导通。按外形分为螺栓形、平板形与平底形。

二、结构与型号

无论外形如何，管芯均由P型硅与N型硅组成四层P1N1P2N2结构，形成三个PN结，引出阳极A、阴极K与门极G三个电极。国产晶闸管型号（如KP系列）标注额定电流、电压等级等参数；进口器件型号含义参见厂家手册。可控硅的主要参数包括：额定通态平均电流IT(AV)、正反向重复峰值电压URRM/UDRM、门极触发电流IGT与触发电压UGT、维持电流IH、通态压降UT等。