一、电平定义

TTL电平：输出高电平>2.4V、输出低电平<0.4V，室温下典型值为3.5V与0.2V；最小输入高电平>=2.0V、输入低电平<=0.8V，噪声容限0.4V。

CMOS电平：逻辑“1”接近电源电压、逻辑“0”接近0V，噪声容限大。

二、电平转换

TTL与CMOS高低电平值不同（如TTL 5V与CMOS 3.3V），相互连接时需电平转换电路。

三、功耗与速度

TTL空载功耗数十毫瓦，CMOS静态功耗仅数十纳瓦；输出跳变时两类门电路均产生尖峰电流引起动态功耗。TTL速度高（传输延时5~10ns）但功耗大，速度受内部管开关特性、电路结构及电阻取值影响，电阻越大速度越低；CMOS速度较慢（25~50ns）但功耗低，速度主要受外部负载电容CL影响。速度-功耗积tpd·P是器件性能重要指标，其值越小性能越好。

四、CMOS使用注意事项

CMOS为电压控制器件，输入阻抗高、易受干扰，不用管脚不得悬空，须接上拉或下拉电阻；输入端接低内阻信号源时应串限流电阻将输入电流限制在1mA内；长信号线时在CMOS端接匹配电阻；输入端接大电容时应在输入与电容间接保护电阻R=V0/1mA；输入电流超过1mA可能烧坏器件。注意CMOS的锁定效应：输入电流过大使内部电流急剧增大直至断电，锁定电流可达40mA以上，易烧毁芯片。

五、TTL输入端负载特性

TTL输入端悬空相当于接高电平（视为接无穷大电阻）；输入端串10kΩ后接低电平呈现高电平，因TTL仅在串联电阻小于约910Ω时才能识别低电平，此点务必注意；CMOS无此问题。