保护电路应兼有反向电压保护与正向过压保护双重功能，XTR115的保护电路如图35所示。反向电压保护由二极管整流桥VD1～VD4组成，防止环路电源极性接反损坏芯片；整流二极管可选用1N4148（URM=75V、Id=150mA、trr=4ns）。采用桥式保护后无需考虑环路电源极性，无论Us接法如何，U+端总能获得正电压。因任何时刻整流桥上总有两只二极管导通，计算环路电压ULOOP时须扣除两只硅二极管正向压降之和（约1.4V），关系由公式给出。

过压保护采用一只1N4753A稳压管，稳定电压36V、稳定电流7.0mA，环路电压过高时被钳位到36V；实验证明即使环路电压达65V，XTR115亦不损坏。为改善瞬态过压保护特性，可采用Motorola公司的P6KE39A型瞬态电压抑制器（TVS）代替稳压管，其钳位电压UB=39V、钳位时间仅1ns，性能远优于齐纳稳压管。