在中频炉中，整流侧关断时间采用 KP-60 微秒以内，逆变侧关断时间采用 KK-30 微秒以内，这也是 KP 管与 KK 管的主要区别。晶闸管 T 在工作过程中，其阳极 A 和阴极 K 与电源和负载连接组成晶闸管的主电路，门极 G 和阴极 K 与控制晶闸管的装置连接组成晶闸管的控制电路。

晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下才导通。3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后门极失去作用。4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时晶闸管关断。

从晶闸管内部分析工作过程：晶闸管是四层三端器件，有 J1、J2、J3 三个 PN 结，可把中间的 NP 分成两部分，构成一个 PNP 型三极管和一个 NPN 型三极管的复合管。当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的 PN 结 J2 失去阻挡作用。图中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。

因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流 Ig 流入时就形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通。设 PNP 管和 NPN 管的集电极电流相应为 Ic1 和 Ic2，发射极电流相应为 Ia 和 Ik，电流放大系数相应为 α1=Ic1/Ia 和 α2=Ic2/Ik，设流过 J2 结的反相漏电电流为 Ic0，则晶闸管阳极电流等于两管集电极电流和漏电流之和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0，即 Ia=α1Ia+α2Ik+Ic0。若门极电流为 Ig，则晶闸管阴极电流为 Ik=Ia+Ig，从而得出晶闸管阳极电流为 I=(Ic0+Igα2)/(1-(α1+α2))。硅 PNP 管和硅 NPN 管相应的电流放大系数 α1 和 α2 随其发射极电流的改变而急剧变化。当晶闸管承受正向阳极电压而门极未受电压时，Ig=0、(α1+α2) 很小，故阳极电流 Ia≈Ic0，晶闸管处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下从门极 G 流入电流 Ig，由于足够大的 Ig 流经 NPN 管的发射结，提高电流放大系数 α2，产生足够大的集电极电流 Ic2 流过 PNP 管的发射结，并提高 α1，产生更大的集电极电流 Ic1 流经 NPN 管的发射结，这样强烈的正反馈过程迅速进行。

当 α1 和 α2 随发射极电流增加而使 (α1+α2)≈1 时，式中的分母 1-(α1+α2)≈0，因此提高了晶闸管阳极电流 Ia，这时流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定，晶闸管已处于正向导通状态。晶闸管导通后，即使门极电流 Ig=0，晶闸管仍能保持原阳极电流继续导通。在晶闸管导通后，如果不断减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流伊减小到维持电流 IH 以下时，由于 α1 和 α2 迅速下降，当 1-(α1+α2)≈0 时晶闸管恢复阻断状态。