本图是用 CMOS 与非门构成的压控振荡器电路。Ct 由可调 Cx 代替,Rt 由用 VA 调节的 NMOS 管代替。Rt 变化范围从 1 kΩ 到 10 kΩ,其最小值被并联的 R1(10 kΩ)和 NMOS 管决定;NMOS 一般从 1 kΩ 到 10 kΩ(原文“10 5k”应为 5 kΩ~10 kΩ 范围内可调)。当 VA=Vss、N 沟道器件截止时 Rt=R1=10 kΩ;当 VA=Vdd、NMOS 充分导通时 Rt=1 kΩ。这种振荡器的中心频率可通过 Cx 调节。

2017-03-16 64 0
本图是用 CMOS 与非门构成的压控振荡器电路。Ct 由可调 Cx 代替,Rt 由用 VA 调节的 NMOS 管代替。Rt 变化范围从 1 kΩ 到 10 kΩ,其最小值被并联的 R1(10 kΩ)和 NMOS 管决定;NMOS 一般从 1 kΩ 到 10 kΩ(原文“10 5k”应为 5 kΩ~10 kΩ 范围内可调)。当 VA=Vss、N 沟道器件截止时 Rt=R1=10 kΩ;当 VA=Vdd、NMOS 充分导通时 Rt=1 kΩ。这种振荡器的中心频率可通过 Cx 调节。
