该电路采用 SIPMOS 晶体管,优点是不需再接放大器控制电路、效率高、工作频率可达 100 kHz,电路工作电压可取 10~16 V。开关晶体管 BUZ20 由多谐振荡器控制,振荡频率由 5 kΩ 电位器调整。变压器采用铁氧体磁芯,初级绕组 1~2 匝与 33 nF 电容构成串联谐振回路;在管截止期间场效应管漏极上约有 60 V 电压,在导通期间该回路因正向电阻使振荡很快衰减,仅约为电池电压的 1~2 倍。

2017-03-16 69 0
该电路采用 SIPMOS 晶体管,优点是不需再接放大器控制电路、效率高、工作频率可达 100 kHz,电路工作电压可取 10~16 V。开关晶体管 BUZ20 由多谐振荡器控制,振荡频率由 5 kΩ 电位器调整。变压器采用铁氧体磁芯,初级绕组 1~2 匝与 33 nF 电容构成串联谐振回路;在管截止期间场效应管漏极上约有 60 V 电压,在导通期间该回路因正向电阻使振荡很快衰减,仅约为电池电压的 1~2 倍。
