信号产生

发铃信号发生器

发铃信号发生器一般为通讯设备的呼叫信号源。呼叫发送振荡器在自动交换系统的控制下,可发出移频呼叫信号,以选择呼叫所需用户。发铃信号发生器由移频控制电路、LC移频振荡器与输出电路组成,电路如图所示。

800Hz信号发生器

该800 Hz振荡级为变压器耦合的LC振荡电路,电路比较简单、频率稳定。缓冲放大器采用调整放大器以减小失真,可用电位器调节输出电平。技术指标:(1)工作频率800 Hz;(2)频率稳定度≤±20 Hz;(3)输出电平0 dB/600 Ω。工作原理:电路由LC振荡级与缓冲放大级组成。振荡级中调谐变压器T1既作为LC振荡槽路又作输出变量器,C2为调谐电容;振荡槽路的电感为正温度系数而聚苯乙烯电容为负温度系数,二者温度系数得到补偿以提高频率稳定度。R1、C1为正反馈电路,R2、R3为VT1偏置电阻,R…

方波、正弦波发生器

图中为方波、正弦波发生器,仅用一个普通反相门和少数元件构成时钟发生器,可同时输出两种同频率波形(方波与正弦波)。该振荡器在100 Hz~10 MHz范围内工作良好。若采用无缓冲输出级的74HCU00代替74HC00,效果更佳。

三种波形信号发生器

TCL8038为专用函数发生电路,可输出方波、三角波与正弦波多种波形,工作电流约10 mA,采用正负电源供电。图中C5~C8采用温度系数小、误差小的电容;S1打在C8挡时可输出1 Hz以下的脉冲波形。RP2采用51~100 kΩ双连线性电位器,便于频率刻度标定;RP1、RP3用于微调输出波形,使其上、下峰沿平滑。S1为频率粗调挡,RP2为频率细调电位器。调试时可借助数字频率计进行频率刻度标定,并用示波器观察波形:调RP1使方波占空比为50%,调RP3使正弦波趋于平滑。信号发生器频率由公式 f=0…

1488kHz信号发生器与分频器

图中主振器以1488 kHz石英晶体谐振器稳频,其输出经分频器分频,可得到4 kHz、12 kHz、124 kHz三种不同方波信号输出。三极管VT1、VT2、VT4、VT6选用3DG6C(β=50~85),VT3选用3CG3D(β=50~85),VT5选用3DG130B(β=65~115)。变量器T采用罐形铁氧体,型号MTT22F:L1-2用φ0.35 mm高强度漆包线绕36匝,L3-4用φ0.31 mm高强度漆包线绕21匝。A1~A9为SG8228的D型CMOS触发器(每块含两只D触发器),A…

由CC4020构成的石英晶振与分频电路

图中为石英晶振与分频电路。开关S1与分频输出的关系见下表。元件选择:分频IC CC4020为国产型号,也可选用国外型号CD4020或MC14020直接代换。三极管VT1、VT2选用9014(β=150~250),VT3选用9015(β=150~250);VT2、VT3也可选用其他型号三极管,但必须同为锗管或同同为硅管,并尽可能参数一致。石英晶体SJT型号为ZWB-1 MHz。开关S1为波段开关(KZX-1-1D-9W型),S2为KNX(1×1)型;电阻标称功率均采用1/8 W金属膜电阻,其他元件…

MC1046B构成的压控正弦波振荡器

图中为压控正弦波振荡电路,由MC1046B构成。当控制输入电压为0~5 V时,输出可获得频率为0~20 kHz的正弦信号。频率范围由电阻R1与电容C决定,改变电阻与电容可改变振荡频率;若在12脚外接电阻R2,可平移振荡频率范围,例如选择R2=2R1时,振荡频率变为10~30 kHz。

高低频信号发生器

图中高低频信号发生器可产生低频1 kHz、中频465 kHz和高频525~1605 kHz的信号,对修理调试收音机或其他电路很有帮助,适合初学者制作。三极管VT1~VT3可选用3DG100、3DG201等高频小功率硅管,fT>100 MHz,β在50~100之间;C7可选用收音机用7/270 pF双连电容器中的一连或单连电容器;振荡变压器T可在收音机中周上改制,在磁芯上用φ0.08 mm高强度漆包线绕L1为100匝、L2为35匝;C8用510 pF云母电容;Q选用三端式的465 kHz中频…

反相器构成的正弦波发生器

图中为反相器构成的正弦波发生电路,可获得几兆赫以上高稳定性的正弦波。A1与晶振组成振荡电路,A1的输出经缓冲器A2后输出正弦波信号。A1为线性放大器,整个电路工作于放大状态。由于不同晶振的特性不同,电路输出频率和电压有所差异,R2可用来调整输出波形。为获得准确的振荡频率,可在电容C1两端并联半可变电容进行微调。电路振荡频率由晶振决定,更换晶振即可改变输出信号频率。

简易的高低频信号发生器

图中为简易的高低频信号发生器。用波段开关S1改变LC谐振回路中的电感值,即可改变高频振荡频率范围,共分四档:第一档0.4~2 MHz,第二档2~10 MHz,第三档9~45 MHz,第四档60~110 MHz。元件选择:VT1、VT2选用fT≥800 MHz、β≥100的NPN硅管,如9018、C535等;电阻全部用1/8 W碳膜电阻;电容C5用独石电容,其余用瓷片电容;L2、L3、L4、L5用高频磁性电感器,也可自行绕制;L1用φ0.6 mm高强度漆包线平密绕8匝,绕成φ7 mm内径的脱胎线圈…

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